Horizontal-Clustersystem für Silizium bis 200 mm Durchmesser, auch Solar: (CENTROTHERM EUROPA 2000). Oben: SiC-Rohr bis 1285 °C, Oxidation trocken und feucht, Feuchtoxidation mit Steamer (Wasserdampf aus DI-Wasser) oder Hydrox-Brenner (Wasserdampf aus H2 und O2 verbrannt). Darunter: Polysilizium-Rohr, dotiert und undotiert, amorph und polykristallin, n und p mittels Phosphin und Diboran sowie mit Sauerstoff dotiert als SIPOS. Darunter: Nitrid-Rohr, stöchiometrisch (Si3N4) und Si-reiches Nitrid mit niedrigen Verspannungen d.h. „low-stress-nitride“ herstellbar (kompressiver und tensiler Schichtstress). Darunter: LPCVD-TEOS-Rohr, Tieftemperatur-Oxide, mit Plasma-Unterstützung, Temperaturen ab 450 °C. Alle Rohre für 200 mm ausgelegt, Einsatzboote für rechteckige Solarwafer, runde 150 mm und 100 mm sowie 2“ und 3“ vorhanden. Alle Oxidationsrohre haben einen DCE-Bubbler eingebaut, um eine hochtemperatur-Reinigung mit Chlor zu ermöglichen. Damit erreicht man eine sehr gute Metallionenfreiheit.