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Dr.  Jan Krügener

https://orcid.org/0000-0001-7095-9768
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Publikationen

  1. 2014
  2. Veröffentlicht

    Building blocks for back-junction back-contacted cells and modules with ion-implanted poly-Si junctions

    Peibst, R., Romer, U., Larionova, Y., Schulte-Huxel, H., Ohrdes, T., Haberle, M., Lim, B., Krugener, J., Stichtenoth, D., Wutherich, T., Schollhorn, C., Graff, J. & Brendel, R., 15 Okt. 2014, 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 852-856 5 S. 6925049

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

  3. Veröffentlicht

    Emitter recombination current densities of boron emitters with silver/aluminum pastes

    Kiefer, F., Peibst, R., Ohrdes, T., Krügener, J., Osten, H. J. & Brendel, R., 15 Okt. 2014, 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 2808-2812 5 S. 6925514

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

  4. Veröffentlicht

    Structural analysis of textured silicon surfaces after ion implantation under tilted angle

    Krügener, J., Bugiel, E., Peibst, R., Kiefer, F., Ohrdes, T., Brendel, R. & Osten, H., 1 Sept. 2014, in: Semiconductor Science and Technology. 29, 9, 095004.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  5. Veröffentlicht

    A simple model describing the symmetric I-V characteristics of p polycrystalline Si/n monocrystalline Si, and n polycrystalline Si/p monocrystalline Si junctions

    Peibst, R., Römer, U., Hofmann, K. R., Lim, B., Wietler, T. F., Krügener, J., Harder, N. P. & Brendel, R., Mai 2014, in: IEEE journal of photovoltaics. 4, 3, S. 841-850 10 S., 6800058.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  6. 2013
  7. Veröffentlicht

    Morphology of mesa surfaces on Si(111) prepared by molecular beam epitaxy at temperatures around the (7 × 7)-"1 × 1" surface phase transition

    Krügener, J., Osten, H. J. & Fissel, A., Dez. 2013, in: Surface science. 618, S. 27-35 9 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  8. Veröffentlicht

    Weak light performance of PERC, PERT and standard industrial solar cells

    Krügener, J. & Harder, N. P., 2013, in: Energy Procedia. 38, S. 108-113 6 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review

  9. 2012
  10. Veröffentlicht

    Preparation of large step-free mesas on Si(111) by molecular beam epitaxy

    Fissel, A., Krügener, J. & Osten, H. J., Okt. 2012, in: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 9, 10-11, S. 2050-2053 4 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  11. 2011
  12. Veröffentlicht

    Towards controlled molecular beam epitaxial growth of artificially stacked Si: Study of boron adsorption and surface segregation on Si(1 1 1)

    Fissel, A., Krügener, J. & Osten, H. J., 15 Mai 2011, in: Journal of crystal growth. 323, 1, S. 144-149 6 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  13. Veröffentlicht

    Ultraviolet photoelectron spectroscopic study of boron adsorption and surface segregation on Si(111)

    Krügener, J., Osten, H. J. & Fissel, A., 3 Mai 2011, in: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 83, 20, 205303.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  14. 2010
  15. Veröffentlicht

    Epitaxial growth and thermal stability of silicon layers on crystalline gadolinium oxide

    Dargis, R., Fissel, A., Schwendt, D., Bugiel, E., Krügener, J., Wietler, T., Laha, A. & Osten, H. J., 21 Okt. 2010, in: VACUUM. 85, 4, S. 523-526 4 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  16. Veröffentlicht

    Single-crystalline Si grown on single-crystalline Gd2O3 by modified solid-phase epitaxy

    Fissel, A., Dargis, R., Bugiel, E., Schwendt, D., Wietler, T., Krügener, J., Laha, A. & Osten, H. J., 26 Feb. 2010, in: THIN SOLID FILMS. 518, 9, S. 2546-2550 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  17. Veröffentlicht

    Role of boron and (√3×√3)-B surface defects on the growth mode of Si on Si(111): A photoemission and electron diffraction study

    Fissel, A., Krügener, J., Schwendt, D. & Osten, H. J., Feb. 2010, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 207, 2, S. 245-253 9 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  18. 2009
  19. Veröffentlicht

    Influence of boron on the initial stages of Si molecular beam epitaxy on Si(1 1 1) studied by reflection high-energy electron diffraction

    Fissel, A., Krügener, J. & Osten, H. J., 1 Feb. 2009, in: Surface science. 603, 3, S. 477-481 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  20. 2008
  21. Veröffentlicht

    Molecular beam epitaxial growth of Si on heavily boron-doped Si(111) surface: From initial stages to the growth of Si polytypes

    Fissel, A., Krügener, J., Bugiel, E., Block, T. & Osten, H. J., 2008, Proceedings of the 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, COMMAD'08. S. 148-151 4 S. 4802113. (Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Proceedings, COMMAD).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

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