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1. 1996

2. Round robin test on optical absorption at 10.6 μm

   Ristau, D., Niederwald, H. S., Erdelyi, D., Meja, P., Giesen, A., Plass, W., Krupka, R., Kennedy, M., Oertel, E., Lu, Z., Le, T. V., Lee, K. M., Reedy, H. E., Scatena, D., Ellis, N. & Greening, D., 27 Mai 1996, 27th Annual Boulder Damage Symposium: Laser-Induced Damage in Optical Materials: 1995. Bellingham: SPIE, S. 120-136 17 S. (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; Band 2714).

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3. Veröffentlicht

   Nucleation of chemical waves at structural defects: A mirror electron microscopy study of catalytic CO oxidation on Pt(110)

   Rose, K. C., Imbihl, R., Rausenberger, B., Rastomjee, C. S., Engel, W. & Bradshaw, A. M., 15 Mai 1996, in: Surface science. 352-354, S. 258-262 5 S.

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4. Vector-based nonlinear upconversion applying center-weighted medians

   Blume, H., 25 März 1996, Nonlinear Image Processing: Electronic Imaging: Science and Technology, 28 Januar - 2 February 1996. Dougherty, E. R., Astola, J. T. & Longbotham, H. G. (Hrsg.). S. 142-153 12 S. (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; Band 2662).

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5. Temperature and density dependence of the electron Landé g factor in semiconductors

   Oestreich, M., Hallstein, S., Heberle, A., Eberl, K., Bauser, E. & Rühle, W. W., 15 März 1996, in: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 53, 12, S. 7911-7916 6 S.

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6. Veröffentlicht

   Surface and intrinsic low frequency conductivity of KTiOPO₄ (KTP) in the temperature range 290-1100 K

   Pimenov, A., Rüscher, C. H. & Maslov, V. A., März 1996, in: Solid state communications. 97, 11, S. 913-917 5 S.

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7. Veröffentlicht

   Control of the shape of chemical wave patterns in the NO + H₂ reaction on Rh(110) by adsorbate-induced reconstructions

   Mertens, F. & Imbihl, R., 20 Feb. 1996, in: Surface science. 347, 3, S. 355-366 12 S.

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8. Modelling of cyclic stress-strain behavior under thermomechanical fatigue conditions - A new approach based upon a multi-component model

   Maier, H. J. & Christ, H. J., 15 Feb. 1996, in: Scripta materialia. 34, 4, S. 609-615 7 S.

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9. Delayed electron emission of negatively charged tungsten clusters

   Weidele, H., Becker, S., Kluge, H. J., Lindinger, M., Schweikhard, L., Walther, C., Ziegler, J. & Kreisle, D., Feb. 1996, in: Surface Review and Letters. 3, 1, S. 541-544 4 S.

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10. Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures

    Schmidt, T., Tewordt, M., Haug, R. J., Von Klitzing, K., Förster, A. & Lüth, H., 1 Jan. 1996, in: Solid-State Electronics. 40, 1-8, S. 15-19 5 S.

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11. Single-electron tunneling through a double quantum dot: The artificial molecule

    Blick, R., Haug, R., Weis, J., Pfannkuche, D., Klitzing, K. & Eberl, K., 1 Jan. 1996, in: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 53, 12, S. 7899-7902 4 S.

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12. Optical investigation of Si_1-yC_y alloys (0 ≤ y ≤ 0.015)

    Pressel, K., Dietrich, B., Rücker, H., Methfessel, M. & Osten, H. J., Jan. 1996, in: Materials Science and Engineering B. 36, 1-3, S. 167-170 4 S.

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13. Proceedings of the 1995 E-MRS Spring Meeting

    Osten, H. J., Jan. 1996, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and Oxygen in Silicon and in Other Elemental Semiconductors. 1-3 Aufl. S. [d]294p (Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology; Band B36, Nr. 1-3).

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14. Supersaturated carbon in silicon and silicon/germanium alloys

    Osten, H. J., Jan. 1996, in: Materials Science and Engineering B. 36, 1-3, S. 268-274 7 S.

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15. Critical points of strained Si_1-yC_y layers on Si(001)

    Kissinger, W., Weidner, M., Osten, H. J. & Eichler, M., 1996, in: Solid State Phenomena. 47-48, S. 523-528 6 S.

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16. Excited states in InAs self-assembled quantum dots

    Schmidt, K., Medeiros-Ribeiro, G., Oestreich, M. & Petroff, P. M., 1996, Proceedings of SPIE: The International Society for Optical Engineering. S. 185-194 10 S. (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; Band 2694).

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17. Veröffentlicht

    Finite element investigations of mechanical stress in metallization structures

    Weide, K., Yu, X. & Menhorn, F., 1996, in: Microelectronics reliability. 36, 11-12 SPEC. ISS., S. 1703-1706 4 S.

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18. Veröffentlicht

    Programmable processing element dedicated as building block for a large area integrated multiprocessor system

    Herrmann, K., Hilgenstock, J., Gaedke, K., Jeschke, H. & Pirsch, P., 1996, Proceedings of the Annual IEEE International Conference on Innovative Systems in Silicon. S. 98-103 6 S. (Proceedings of the Annual IEEE International Conference on Innovative Systems in Silicon).

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19. Strain relaxation in tensile-strained Si_1-yC_y layers on Si(001)

    Osten, H. J., Endisch, D., Bugiel, E., Dietrich, B., Fischer, G. G., Kim, M., Krüger, D. & Zaumseil, P., 1996, in: Semiconductor Science and Technology. 11, 11, S. 1678-1687 10 S.

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20. TEM analysis of structure modification induced by additional carbon incorporation in silicon and Si_1-xGe_x layers grown with molecular beam epitaxy

    Bugiel, E., Ruvimov, S. & Osten, H. J., 1996, in: Solid State Phenomena. 47-48, S. 595-600 6 S.

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21. 1995

22. Single-electron tunnelling transistor as a current rectifier with potential-controlled current polarity

    Weis, J., Haug, R. J., Von Klitzing, K. & Ploog, K., 1 Dez. 1995, in: Semiconductor Science and Technology. 10, 6, S. 877-880 4 S., 021.

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