Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 104-115 |
| Fachzeitschrift | GAMM Mitteilungen |
| Jahrgang | 30 |
| Ausgabenummer | 1 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2007 |
Zitieren
- Standard
- Harvard
- Apa
- Vancouver
- BibTex
- RIS
Numerical modeling of the industrial silicon single crystal growth processes. / Nacke, Bernard; Muiznieks, A.
in: GAMM Mitteilungen, Jahrgang 30, Nr. 1, 2007, S. 104-115.
in: GAMM Mitteilungen, Jahrgang 30, Nr. 1, 2007, S. 104-115.
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung
Nacke, B & Muiznieks, A 2007, 'Numerical modeling of the industrial silicon single crystal growth processes', GAMM Mitteilungen, Jg. 30, Nr. 1, S. 104-115.
Nacke, B., & Muiznieks, A. (2007). Numerical modeling of the industrial silicon single crystal growth processes. GAMM Mitteilungen, 30(1), 104-115.
Nacke B, Muiznieks A. Numerical modeling of the industrial silicon single crystal growth processes. GAMM Mitteilungen. 2007;30(1):104-115.
Download
@article{a874c03cd9984870bfbaaf08d563ccbb,
title = "Numerical modeling of the industrial silicon single crystal growth processes",
author = "Bernard Nacke and A. Muiznieks",
year = "2007",
language = "English",
volume = "30",
pages = "104--115",
number = "1",
}
Download
TY - JOUR
T1 - Numerical modeling of the industrial silicon single crystal growth processes
AU - Nacke, Bernard
AU - Muiznieks, A.
PY - 2007
Y1 - 2007
M3 - Article
VL - 30
SP - 104
EP - 115
JO - GAMM Mitteilungen
JF - GAMM Mitteilungen
SN - 0936-7195
IS - 1
ER -