Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 154-157 |
| Seitenumfang | 4 |
| Fachzeitschrift | Journal of crystal growth |
| Jahrgang | 425 |
| Frühes Online-Datum | 21 Feb. 2019 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 1 Sept. 2019 |
ASJC Scopus Sachgebiete
- Physik und Astronomie (insg.)
- Physik der kondensierten Materie
- Chemie (insg.)
- Anorganische Chemie
- Werkstoffwissenschaften (insg.)
- Werkstoffchemie
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in: Journal of crystal growth, Jahrgang 425, 01.09.2019, S. 154-157.
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
}
TY - JOUR
T1 - Influence of (7×7)-"1×1" phase transition on step-free area formation in molecular beam epitaxial growth of Si on Si (111)
AU - Fissel, Andreas
AU - Roy Chaudhuri, Ayan
AU - Krügener, Jan
AU - Jörg Osten, Hans-Jörg
N1 - Funding information: This work was financial supported by the Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG project FI 726-10 ).
PY - 2019/9/1
Y1 - 2019/9/1
KW - A1. Growth models
KW - A1. Surface structure
KW - A3. Molecular beam epitaxy
KW - B1. Silicon
UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=84979961833&partnerID=8YFLogxK
U2 - 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.041
DO - 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.041
M3 - Article
AN - SCOPUS:84979961833
VL - 425
SP - 154
EP - 157
JO - Journal of crystal growth
JF - Journal of crystal growth
SN - 0022-0248
ER -