Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors

Publikation: Qualifikations-/StudienabschlussarbeitDissertation

Autoren

  • Achim Seidel

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  • Hochschule Reutlingen
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Details

OriginalspracheEnglisch
QualifikationDoktor der Ingenieurwissenschaften
Gradverleihende Hochschule
Betreut von
Datum der Verleihung des Grades20 Aug. 2022
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2020

Zitieren

Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors. / Seidel, Achim.
2020.

Publikation: Qualifikations-/StudienabschlussarbeitDissertation

Seidel, A 2020, 'Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors', Doktor der Ingenieurwissenschaften, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover. <https://www.tib.eu/de/suchen/id/TIBKAT:1725130319/>
Seidel, A. (2020). Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors. [Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover].
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year = "2020",
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school = "Leibniz University Hannover",

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TY - BOOK

T1 - Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors

AU - Seidel, Achim

N1 - Doctoral thesis

PY - 2020

Y1 - 2020

M3 - Doctoral thesis

ER -

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