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Laboratorium für Informationstechnologie (LFI)

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Publikationen

  1. 2007
  2. Veröffentlicht

    Epitaxial multi-component rare earth oxide for high-K application

    Laha, A., Fissel, A., Bugiel, E. & Osten, H. J., 4 Juni 2007, in: THIN SOLID FILMS. 515, 16 SPEC. ISS., S. 6512-6517 6 S.

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  3. Veröffentlicht

    Integration of functional epitaxial oxides into silicon: From high- K application to nanostructures

    Osten, H. J., Kühne, D., Laha, A., Czernohorsky, M., Bugiel, E. & Fissel, A., 31 Mai 2007, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 25, 3, S. 1039-1043 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  4. Veröffentlicht

    Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy

    Osten, H. J., Kuehne, D., Bugiel, E. & Fissel, A., Apr. 2007, in: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 38, 1-2, S. 6-10 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  5. Veröffentlicht

    Influence of interface layer composition on the electrical properties of epitaxial Gd2O3 thin films for high- K application

    Laha, A., Osten, H. J. & Fissel, A., 13 März 2007, in: Applied physics letters. 90, 11, 113508.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  6. Veröffentlicht

    Dynamic void formation in a DD-copper-structure with different metallization geometry

    Weide-Zaage, K., Dalleau, D., Danto, Y. & Fremont, H., Feb. 2007, in: Microelectronics reliability. 47, 2-3, S. 319-325 7 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  7. Veröffentlicht

    Crystalline Rare-Earth Oxides as High-κ Materials for Future CMOS Technologies

    Osten, H. J., Laha, A., Czemohorsky, M., Dargis, R., Bugiei, E. & Fissel, A., 2007, in: ECS Transactions. 11, 4, S. 287-297 11 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review

  8. 2006
  9. Veröffentlicht

    Interface Engineering During Epitaxial Growth of High-K Lanthanide Oxides on Silicon

    Osten, H. J., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Kuehne, D. & Fissel, A., 1 Dez. 2006, in: Materials Research Society Symposium Proceedings. 917, 1, S. 137-142 6 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review

  10. Veröffentlicht

    Molecular Beam Epitaxy of Rare-Earth Oxides

    Osten, H. J., Bugiel, E., Czernohorsky, M., Elassar, Z., Kirfel, O. & Fissel, A., 28 Okt. 2006, Rare Earth Oxide Thin Films: Growth, Characterization, and Applications. Fanciulli, M. & Scarel, G. (Hrsg.). S. 101-114 14 S. (Topics in Applied Physics; Band 106).

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  11. Veröffentlicht

    Formation of Si twinning-superlattice: First step towards Si polytype growth

    Fissel, A., Bugiel, E., Wang, C. R. & Osten, H. J., 15 Okt. 2006, in: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. 134, 2-3 SPEC. ISS., S. 138-141 4 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  12. Veröffentlicht

    Impact of Si substrate orientations on electrical properties of crystalline Gd2O3 thin films for high- K application

    Laha, A., Osten, H. J. & Fissel, A., 5 Okt. 2006, in: Applied physics letters. 89, 14, 143514.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  13. Veröffentlicht

    Growth and characterization of crystalline gadolinium oxide on silicon carbide for high-K application

    Fissel, A., Czemohorsky, M., Dargis, R. & Osten, H. J., Okt. 2006, in: Superlattices and microstructures. 40, 4-6, S. 551-556 6 S.

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  14. Veröffentlicht

    0.86-nm CET Gate Stacks With Epitaxial Gd2O3 High-k Dielectrics and FUSI NiSi Metal Electrodes 

    Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T., Schmidt, M., Mollenhauer, T., Efavi, J. K., Wahlbrink, T., Lemme, M. C., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Fissel, A., Osten, H. J. & Kurz, H., 25 Sept. 2006, in: IEEE electron device letters. 27, 10, S. 814-816 3 S.

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  15. Veröffentlicht

    Novel Approach for Fabrication of Single-Crystalline Insulator/Si/Insulator Nanostructures

    Fissel, A., Kuehne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 1 Sept. 2006, in: Materials Research Society Symposium Proceedings. 928, 1, S. 7-12 6 S.

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  16. Veröffentlicht

    Characterization of crystalline rare-earth oxide high-K dielectrics grown by molecular beam epitaxy on silicon carbide

    Fissel, A., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., 26 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2115-2118 4 S.

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  17. Veröffentlicht

    Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures

    Fissel, A., Kühne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 25 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2041-2046 6 S.

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  18. Veröffentlicht

    CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics

    Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T., Mollenhauer, T., Efavi, J. K., Schmidt, M., Wahlbrink, T., Lemme, M. C., Kurz, H., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Osten, H. J. & Fissel, A., Juni 2006, in: Solid-State Electronics. 50, 6, S. 979-985 7 S.

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  19. Veröffentlicht

    A flexible implementation of high-performance FIR filters on Xilinx FPGAs

    Do, T. T., Kropp, H., Reuter, C. & Pirsch, P., 27 Mai 2006, Field-Programmable Logic and Applications: From FPGAs to Computing Paradigm - 8th International Workshop, FPL 1998, Proceedings. Hartenstein, R. W. & Keevallik, A. (Hrsg.). Springer Verlag, S. 441-445 5 S. (Lecture Notes in Computer Science (including subseries Lecture Notes in Artificial Intelligence and Lecture Notes in Bioinformatics); Band 1482).

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  20. Veröffentlicht

    Formation of twinning-superlattice regions by artificial stacking of Si layers

    Fissel, A., Bugiel, E., Wang, C. R. & Osten, H. J., 1 Mai 2006, in: Journal of crystal growth. 290, 2, S. 392-397 6 S.

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  21. Veröffentlicht

    Crystalline ternary rare earth oxide with capacitance equivalent thickness below 1 nm for high-K application

    Laha, A., Bugiel, E., Osten, H. J. & Fissel, A., 25 Apr. 2006, in: Applied physics letters. 88, 17, 172107.

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  22. Veröffentlicht

    Cooperative solid-vapor-phase epitaxy: An approach for fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures

    Fissel, A., Kühne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 10 Apr. 2006, in: Applied physics letters. 88, 15, 153105.

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