Publikationen
- 2015
- Veröffentlicht
Basic Study on the Influence of Glass Composition and Aluminum Content on the Ag/Al Paste Contact Formation to Boron Emitters
Körner, S., Kiefer, F., Peibst, R., Heinemeyer, F., Krügener, J. & Eberstein, M., 1 Apr. 2015, in: Energy Procedia. 67, S. 20-30 11 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Ion implantation for poly-Si passivated back-junction back-contacted solar cells
Römer, U., Peibst, R., Ohrdes, T., Lim, B., Krügener, J., Wietler, T. & Brendel, R., 1 März 2015, in: IEEE journal of photovoltaics. 5, 2, S. 507-514 8 S., 7006679.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Influence of the boron emitter profile on VOC and JSC losses in fully ion implanted n-type PERT solar cells
Kiefer, F., Peibst, R., Ohrdes, T., Dullweber, T., Krügener, J., Osten, H. J., Schöllhorn, C., Grohe, A. & Brendel, R., Feb. 2015, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 212, 2, S. 291-297 7 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Electrical and structural analysis of crystal defects after high-temperature rapid thermal annealing of highly boron ion-implanted emitters
Krugener, J., Peibst, R., Alexander, W., Bugiel, E., Ohrdes, T., Kiefer, F., Schollhorn, C., Grohe, A., Brendel, R. & Osten, H., 1 Jan. 2015, in: IEEE journal of photovoltaics. 5, 1, S. 166-173 8 S., 6970768.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- 2014
- Veröffentlicht
The influence of carbon doping on the performance of Gd2O3 as high-k gate dielectric
Shekhter, P., Chaudhuri, A. R., Laha, A., Yehezkel, S., Shriki, A., Osten, H. J. & Eizenberg, M., 30 Dez. 2014, in: Applied physics letters. 105, 26, 262901.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Recombination behavior and contact resistance of n+ and p+ poly-crystalline Si/mono-crystalline Si junctions
Römer, U., Peibst, R., Ohrdes, T., Lim, B., Krügener, J., Bugiel, E., Wietler, T. & Brendel, R., Dez. 2014, in: Solar Energy Materials and Solar Cells. 131, S. 85-91 7 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Structural investigation of ion implantation of boron on random pyramid textured Si(100) for photovoltaic applications
Krugener, J., Bugiel, E., Osten, H., Peibst, R., Kiefer, F., Ohrdes, T. & Brendel, R., 29 Okt. 2014, Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology. Rao, M. V. (Hrsg.). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 6940060. (Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology).Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Building blocks for back-junction back-contacted cells and modules with ion-implanted poly-Si junctions
Peibst, R., Romer, U., Larionova, Y., Schulte-Huxel, H., Ohrdes, T., Haberle, M., Lim, B., Krugener, J., Stichtenoth, D., Wutherich, T., Schollhorn, C., Graff, J. & Brendel, R., 15 Okt. 2014, 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 852-856 5 S. 6925049Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Emitter recombination current densities of boron emitters with silver/aluminum pastes
Kiefer, F., Peibst, R., Ohrdes, T., Krügener, J., Osten, H. J. & Brendel, R., 15 Okt. 2014, 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 2808-2812 5 S. 6925514Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Structural analysis of textured silicon surfaces after ion implantation under tilted angle
Krügener, J., Bugiel, E., Peibst, R., Kiefer, F., Ohrdes, T., Brendel, R. & Osten, H., 1 Sept. 2014, in: Semiconductor Science and Technology. 29, 9, 095004.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
A simple model describing the symmetric I-V characteristics of p polycrystalline Si/n monocrystalline Si, and n polycrystalline Si/p monocrystalline Si junctions
Peibst, R., Römer, U., Hofmann, K. R., Lim, B., Wietler, T. F., Krügener, J., Harder, N. P. & Brendel, R., Mai 2014, in: IEEE journal of photovoltaics. 4, 3, S. 841-850 10 S., 6800058.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Surfactant-mediated epitaxy of silicon germanium films on silicon (001) substrates
Wietler, T. F., Schmidt, J., Tetzlaff, D. & Bugiel, E., 30 Apr. 2014, in: THIN SOLID FILMS. 557, S. 27-30 4 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Superior dielectric properties for template assisted grown (100) oriented Gd2O3 thin films on Si(100)
Roy Chaudhuri, A., Fissel, A. & Osten, H. J., 8 Jan. 2014, in: Applied physics letters. 104, 1, 012906.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Optical emission characteristics of compressively strained Ge films
Katiyar, A. K., Grimm, A., Rakesh, A., Bar, R., Wietler, T., Osten, H. J. & Ray, S. K., 2014.Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Tuning dielectric properties of epitaxial lanthanide oxides on silicon
Osten, H. J., Schwendt, D., Chaudhuri, A. R., Fissel, A., Shekhter, P. & Eizenberg, M., 2014, in: ECS Transactions. 61, 2, S. 3-9 7 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review
- 2013
- Veröffentlicht
MBE-grown Si and Si1-xGex quantum dots embedded within epitaxial Gd2O3 on Si(111) substrate for floating gate memory device
Manna, S., Aluguri, R., Katiyar, A., Das, S., Laha, A., Osten, H. J. & Ray, S. K., 20 Dez. 2013, in: NANOTECHNOLOGY. 24, 50, 505709.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Morphology of mesa surfaces on Si(111) prepared by molecular beam epitaxy at temperatures around the (7 × 7)-"1 × 1" surface phase transition
Krügener, J., Osten, H. J. & Fissel, A., Dez. 2013, in: Surface science. 618, S. 27-35 9 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Epitaxial Gd2O3 on strained Si1-xGe x layers for next generation complementary metal oxide semiconductor device application
Ghosh, K., Das, S., Fissel, A., Osten, H. J. & Laha, A., 7 Okt. 2013, in: Applied physics letters. 103, 15, 153501.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Strain relaxation of thin Ge films on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy
Tetzlaff, D., Wietler, T. F., Bugiel, E. & Osten, H. J., 1 Sept. 2013, in: Journal of crystal growth. 378, S. 254-258 5 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
- Veröffentlicht
Atomic layer deposition of Er2O3 thin films from Er tris-guanidinate and water: Process optimization, film analysis and electrical properties
Xu, K., Chaudhuri, A. R., Parala, H., Schwendt, D., Arcos, T. D. L., Osten, H. J. & Devi, A., 7 Juli 2013, in: Journal of Materials Chemistry C. 1, 25, S. 3939-3946 8 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review