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Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Organisation: Institut/Seminar

Adressentyp: Besucheradresse.
Schneiderberg 32
30167
Hannover
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Publikationen

  1. 2015
  2. Veröffentlicht

    Ion implantation for poly-Si passivated back-junction back-contacted solar cells

    Römer, U., Peibst, R., Ohrdes, T., Lim, B., Krügener, J., Wietler, T. & Brendel, R., 1 März 2015, in: IEEE journal of photovoltaics. 5, 2, S. 507-514 8 S., 7006679.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  3. Veröffentlicht

    Influence of the boron emitter profile on VOC and JSC losses in fully ion implanted n-type PERT solar cells

    Kiefer, F., Peibst, R., Ohrdes, T., Dullweber, T., Krügener, J., Osten, H. J., Schöllhorn, C., Grohe, A. & Brendel, R., Feb. 2015, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 212, 2, S. 291-297 7 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  4. Veröffentlicht

    Electrical and structural analysis of crystal defects after high-temperature rapid thermal annealing of highly boron ion-implanted emitters

    Krugener, J., Peibst, R., Alexander, W., Bugiel, E., Ohrdes, T., Kiefer, F., Schollhorn, C., Grohe, A., Brendel, R. & Osten, H., 1 Jan. 2015, in: IEEE journal of photovoltaics. 5, 1, S. 166-173 8 S., 6970768.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  5. 2014
  6. Veröffentlicht

    The influence of carbon doping on the performance of Gd2O3 as high-k gate dielectric

    Shekhter, P., Chaudhuri, A. R., Laha, A., Yehezkel, S., Shriki, A., Osten, H. J. & Eizenberg, M., 30 Dez. 2014, in: Applied physics letters. 105, 26, 262901.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  7. Veröffentlicht

    Recombination behavior and contact resistance of n+ and p+ poly-crystalline Si/mono-crystalline Si junctions

    Römer, U., Peibst, R., Ohrdes, T., Lim, B., Krügener, J., Bugiel, E., Wietler, T. & Brendel, R., Dez. 2014, in: Solar Energy Materials and Solar Cells. 131, S. 85-91 7 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  8. Veröffentlicht

    Structural investigation of ion implantation of boron on random pyramid textured Si(100) for photovoltaic applications

    Krugener, J., Bugiel, E., Osten, H., Peibst, R., Kiefer, F., Ohrdes, T. & Brendel, R., 29 Okt. 2014, Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology. Rao, M. V. (Hrsg.). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 6940060. (Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  9. Veröffentlicht

    Building blocks for back-junction back-contacted cells and modules with ion-implanted poly-Si junctions

    Peibst, R., Romer, U., Larionova, Y., Schulte-Huxel, H., Ohrdes, T., Haberle, M., Lim, B., Krugener, J., Stichtenoth, D., Wutherich, T., Schollhorn, C., Graff, J. & Brendel, R., 15 Okt. 2014, 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 852-856 5 S. 6925049

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  10. Veröffentlicht

    Emitter recombination current densities of boron emitters with silver/aluminum pastes

    Kiefer, F., Peibst, R., Ohrdes, T., Krügener, J., Osten, H. J. & Brendel, R., 15 Okt. 2014, 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 2808-2812 5 S. 6925514

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  11. Veröffentlicht

    Structural analysis of textured silicon surfaces after ion implantation under tilted angle

    Krügener, J., Bugiel, E., Peibst, R., Kiefer, F., Ohrdes, T., Brendel, R. & Osten, H., 1 Sept. 2014, in: Semiconductor Science and Technology. 29, 9, 095004.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  12. Veröffentlicht

    A simple model describing the symmetric I-V characteristics of p polycrystalline Si/n monocrystalline Si, and n polycrystalline Si/p monocrystalline Si junctions

    Peibst, R., Römer, U., Hofmann, K. R., Lim, B., Wietler, T. F., Krügener, J., Harder, N. P. & Brendel, R., Mai 2014, in: IEEE journal of photovoltaics. 4, 3, S. 841-850 10 S., 6800058.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  13. Veröffentlicht

    Superior dielectric properties for template assisted grown (100) oriented Gd2O3 thin films on Si(100)

    Roy Chaudhuri, A., Fissel, A. & Osten, H. J., 8 Jan. 2014, in: Applied physics letters. 104, 1, 012906.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  14. Veröffentlicht

    Optical emission characteristics of compressively strained Ge films

    Katiyar, A. K., Grimm, A., Rakesh, A., Bar, R., Wietler, T., Osten, H. J. & Ray, S. K., 2014.

    Publikation: KonferenzbeitragPaperForschungPeer-Review

  15. Veröffentlicht

    Tuning dielectric properties of epitaxial lanthanide oxides on silicon

    Osten, H. J., Schwendt, D., Chaudhuri, A. R., Fissel, A., Shekhter, P. & Eizenberg, M., 2014, in: ECS Transactions. 61, 2, S. 3-9 7 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftKonferenzaufsatz in FachzeitschriftForschungPeer-Review

  16. 2013
  17. Veröffentlicht

    MBE-grown Si and Si1-xGex quantum dots embedded within epitaxial Gd2O3 on Si(111) substrate for floating gate memory device

    Manna, S., Aluguri, R., Katiyar, A., Das, S., Laha, A., Osten, H. J. & Ray, S. K., 20 Dez. 2013, in: NANOTECHNOLOGY. 24, 50, 505709.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  18. Veröffentlicht

    Morphology of mesa surfaces on Si(111) prepared by molecular beam epitaxy at temperatures around the (7 × 7)-"1 × 1" surface phase transition

    Krügener, J., Osten, H. J. & Fissel, A., Dez. 2013, in: Surface science. 618, S. 27-35 9 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  19. Veröffentlicht

    Epitaxial Gd2O3 on strained Si1-xGe x layers for next generation complementary metal oxide semiconductor device application

    Ghosh, K., Das, S., Fissel, A., Osten, H. J. & Laha, A., 7 Okt. 2013, in: Applied physics letters. 103, 15, 153501.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  20. Elektronisch veröffentlicht (E-Pub)

    Surfactant-mediated epitaxy of silicon germanium films on silicon (001) substrates

    Wietler, T. F., Schmidt, J., Tetzlaff, D. & Bugiel, E., 11 Sept. 2013, (Elektronisch veröffentlicht (E-Pub)) in: THIN SOLID FILMS. 557, S. 27-30 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  21. Veröffentlicht

    Strain relaxation of thin Ge films on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy

    Tetzlaff, D., Wietler, T. F., Bugiel, E. & Osten, H. J., 1 Sept. 2013, in: Journal of crystal growth. 378, S. 254-258 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  22. Veröffentlicht

    Atomic layer deposition of Er2O3 thin films from Er tris-guanidinate and water: Process optimization, film analysis and electrical properties

    Xu, K., Chaudhuri, A. R., Parala, H., Schwendt, D., Arcos, T. D. L., Osten, H. J. & Devi, A., 7 Juli 2013, in: Journal of Materials Chemistry C. 1, 25, S. 3939-3946 8 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  23. Veröffentlicht

    Crystalline Oxides on Silicon

    Osten, H. J., 26 Juni 2013, Springer Series in Advanced Microelectronics. Springer Verlag, S. 395-423 29 S. (Springer Series in Advanced Microelectronics; Band 43).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandBeitrag in Buch/SammelwerkForschungPeer-Review