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Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Organisation: Institut/Seminar

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Schneiderberg 32
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Hannover
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Publikationen

  1. 2006
  2. Veröffentlicht

    Approaches to CMOS integration of epitaxial gadolinium oxide high-K dielectrics

    Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T., Mollenhauer, T., Schmidt, M., Efavi, J. K., Wahlbrink, T., Lemme, M. C., Kurz, H., Endres, R., Stefanov, Y., Schwalke, U., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Fissel, A. & Osten, H. J., 2006, ESSDERC 2006 : Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference. IEEE Computer Society, S. 150-153 4 S. 4099878

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

  3. Veröffentlicht

    Energy relaxation and anomalies in the thermo-acoustic response of femtosecond laser-excited germanium

    Sokolowski-Tinten, K., Shymanovich, U., Nicoul, M., Blums, J., Tarasevitch, A., Horn-von-Hoegen, M., von der Linde, D., Morak, A. & Wietler, T., 2006, International Conference on Ultrafast Phenomena, UP 2006. OSA - The Optical Society, (Optics InfoBase Conference Papers).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

  4. Veröffentlicht

    Optical properties, elasto-optical effects, and critical-point parameters of biaxially stressed Si1-yCy alloys on Si (001)

    Zollner, S., Vartanian, V., Liu, J. P., Zaumseil, P., Osten, H. J., Demkov, A. A. & Nguyen, B. Y., 2006, Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest. 1715973. (Third International SiGe Technology and Device Meeting, ISTDM 2006 - Conference Digest; Band 2006).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

  5. 2005
  6. Veröffentlicht

    Surfactant-mediated epitaxy of relaxed low-doped Ge films on Si(001) with low defect densities

    Wietler, T. F., Bugiel, E. & Hofmann, K. R., 24 Okt. 2005, in: Applied physics letters. 87, 18, S. 1-3 3 S., 182102.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  7. Veröffentlicht

    MBE growth and properties of epitaxial metal oxides for high-κ dielectrics

    Osten, H. J., Bugiel, E., Kirfel, O., Czernohorsky, M. & Fissel, A., 1 Mai 2005, in: Journal of crystal growth. 278, 1-4, S. 18-24 7 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review

  8. Veröffentlicht

    Epitaxial growth of non-cubic silicon

    Fissel, A., Wang, C., Bugiel, E. & Osten, H. J., März 2005, in: Microelectronics journal. 36, 3-6, S. 506-509 4 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review

  9. Veröffentlicht

    Advances in surfactant-mediated growth of germanium on silicon: High-quality p-type Ge films on Si

    Wietler, T. F., Ott, A., Bugiel, E. & Hofmann, K. R., Feb. 2005, in: Materials Science in Semiconductor Processing. 8, 1-3 SPEC. ISS., S. 73-77 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  10. Veröffentlicht

    Ca F2 SiCa F2 resonant tunneling diodes grown by B surfactant-mediated epitaxy

    Wang, C. R., Bierkandt, M., Paprotta, S., Wietler, T. & Hofmann, K. R., 14 Jan. 2005, in: Applied physics letters. 86, 3, S. 1-3 3 S., 033111.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  11. Veröffentlicht

    Carbon doping of sige

    Osten, H. J., 1 Jan. 2005, Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. S. 2.9-157-2.9-170

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Beitrag in Buch/Sammelwerk › Forschung › Peer-Review

  12. Veröffentlicht

    A novel thin buffer concept for epitaxial growth of relaxed SiGe layers with low threading dislocation density

    Liu, J. P., Wong, L. H., Sohn, D. K., Hsia, L. C., Chan, L., Wong, C. C. & Osten, H. J., Jan. 2005, in: Electrochemical and Solid-State Letters. 8, 2, S. G60-G62

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  13. 2004
  14. Veröffentlicht

    Boron surfactant enhanced growth of thin Si films on CaF2/SI

    Wang, C. R., Müller, B. H., Bugiel, E., Wietler, T., Bierkandt, M., Hofmann, K. R. & Zaumseil, P., 7 Okt. 2004, in: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 22, 6, S. 2246-2250 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  15. Veröffentlicht

    Epitaxial high-κ dielectrics on silicon

    Osten, H. J., 2004, ASDAM 2004 - Conference Proceedings, 5th International Conference on Semiconductor Devices and Microsystmes. Osvald, J., Hascik, S., Osvald, J. & Hascik, S. (Hrsg.). S. 155-162 8 S. (ASDAM 2004 - Conference Proceedings, 5th International Conference on Semiconductor Devices and Microsystmes).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review

  16. 2003
  17. Veröffentlicht

    Epitaxial praseodymium oxide: a new high-K dielectric

    Osten, H. J., Bugiel, E. & Fissel, A., Dez. 2003, in: Solid-State Electronics. 47, 12, S. 2161-2165 5 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  18. Veröffentlicht

    Towards understanding epitaxial growth of alternative high-K dielectrics on Si(001): Application to praseodymium oxide

    Fissel, A., Osten, H. J. & Bugiel, E., 5 Aug. 2003, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 21, 4, S. 1765-1772 8 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review

  19. Veröffentlicht

    Epitaxial praseodymium oxide: A new high-K dielectric

    Osten, H. J., Bugiel, E. & Fissel, A., 1 Apr. 2003, in: Materials Research Society Symposium - Proceedings. 744, S. 15-24 10 S.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review

  20. 2000
  21. Veröffentlicht

    Carbon doped SiGe heterojunction bipolar transistor module suitable for integration in a deep submicron CMOS process

    Osten, H. J., Knoll, D., Heinemann, B., Rucker, H. & Ehwald, K. E., 2000, S. 19. 1 S.

    Publikation: Konferenzbeitrag › Paper › Forschung › Peer-Review

  22. 1995
  23. Veröffentlicht

    Growth and properties of strained Si1-x-yGexC y layers

    Jain, S. C., Osten, H. J., Dietrich, B. & Rücker, H., 1995, in: Semiconductor Science and Technology. 10, 10, S. 1289-1302 14 S., 001.

    Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Übersichtsarbeit › Forschung › Peer-Review

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