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Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Organisation: Institut/Seminar

Adressentyp: Besucheradresse.
Schneiderberg 32
30167
Hannover
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Publikationen

  1. 2007
  2. Veröffentlicht

    Crystalline Rare-Earth Oxides as High-κ Materials for Future CMOS Technologies

    Osten, H. J., Laha, A., Czemohorsky, M., Dargis, R., Bugiei, E. & Fissel, A., 2007, in: ECS Transactions. 11, 4, S. 287-297 11 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftKonferenzaufsatz in FachzeitschriftForschungPeer-Review

  3. Veröffentlicht

    Thermal stability of pt/epitaxial Gd2O3/Si stacks

    Lipp, E., Eizenberg, M., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., 2007, Materials Research Society Symposium Proceedings - Characterization of Oxide/Semiconductor Interfaces for CMOS Technologies. S. 64-69 6 S. (Materials Research Society Symposium Proceedings; Band 996).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  4. 2006
  5. Veröffentlicht

    Interface Engineering During Epitaxial Growth of High-K Lanthanide Oxides on Silicon

    Osten, H. J., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Kuehne, D. & Fissel, A., 1 Dez. 2006, in: Materials Research Society Symposium Proceedings. 917, 1, S. 137-142 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftKonferenzaufsatz in FachzeitschriftForschungPeer-Review

  6. Veröffentlicht

    Dielectric functions, elasto-optical effects, and critical-point parameters of biaxially stressed Si1-yCy alloys on Si (0 0 1)

    Zollner, S., Liu, J. P., Zaumseil, P., Osten, H. J. & Demkov, A. A., 28 Nov. 2006, in: Semiconductor Science and Technology. 22, 1, S. S13-S20 S04.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  7. Veröffentlicht

    Molecular Beam Epitaxy of Rare-Earth Oxides

    Osten, H. J., Bugiel, E., Czernohorsky, M., Elassar, Z., Kirfel, O. & Fissel, A., 28 Okt. 2006, Rare Earth Oxide Thin Films: Growth, Characterization, and Applications. Fanciulli, M. & Scarel, G. (Hrsg.). S. 101-114 14 S. (Topics in Applied Physics; Band 106).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandBeitrag in Buch/SammelwerkForschungPeer-Review

  8. Veröffentlicht

    Formation of Si twinning-superlattice: First step towards Si polytype growth

    Fissel, A., Bugiel, E., Wang, C. R. & Osten, H. J., 15 Okt. 2006, in: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. 134, 2-3 SPEC. ISS., S. 138-141 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  9. Veröffentlicht

    Impact of Si substrate orientations on electrical properties of crystalline Gd2O3 thin films for high- K application

    Laha, A., Osten, H. J. & Fissel, A., 5 Okt. 2006, in: Applied physics letters. 89, 14, 143514.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  10. Veröffentlicht

    Growth and characterization of crystalline gadolinium oxide on silicon carbide for high-K application

    Fissel, A., Czemohorsky, M., Dargis, R. & Osten, H. J., Okt. 2006, in: Superlattices and microstructures. 40, 4-6, S. 551-556 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  11. Veröffentlicht

    0.86-nm CET Gate Stacks With Epitaxial Gd2O3 High-k Dielectrics and FUSI NiSi Metal Electrodes 

    Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T., Schmidt, M., Mollenhauer, T., Efavi, J. K., Wahlbrink, T., Lemme, M. C., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Fissel, A., Osten, H. J. & Kurz, H., 25 Sept. 2006, in: IEEE electron device letters. 27, 10, S. 814-816 3 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  12. Veröffentlicht

    Novel Approach for Fabrication of Single-Crystalline Insulator/Si/Insulator Nanostructures

    Fissel, A., Kuehne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 1 Sept. 2006, in: Materials Research Society Symposium Proceedings. 928, 1, S. 7-12 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  13. Veröffentlicht

    Residual strain in Ge films grown by surfactant-mediated epitaxy on Si(1 1 1) and Si(0 0 1) substrates

    Wietler, T. F., Bugiel, E. & Hofmann, K. R., Aug. 2006, in: Materials Science in Semiconductor Processing. 9, 4-5 SPEC. ISS., S. 659-663 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  14. Veröffentlicht

    Characterization of crystalline rare-earth oxide high-K dielectrics grown by molecular beam epitaxy on silicon carbide

    Fissel, A., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., 26 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2115-2118 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  15. Veröffentlicht

    Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures

    Fissel, A., Kühne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 25 Juli 2006, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 24, 4, S. 2041-2046 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  16. Veröffentlicht

    Surfactant-mediated epitaxy of high-quality low-doped relaxed germanium films on silicon (001)

    Wietler, T. F., Bugiel, E. & Hofmann, K. R., 5 Juni 2006, in: THIN SOLID FILMS. 508, 1-2, S. 6-9 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  17. Veröffentlicht

    CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics

    Gottlob, H. D. B., Echtermeyer, T., Mollenhauer, T., Efavi, J. K., Schmidt, M., Wahlbrink, T., Lemme, M. C., Kurz, H., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Osten, H. J. & Fissel, A., Juni 2006, in: Solid-State Electronics. 50, 6, S. 979-985 7 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  18. Veröffentlicht

    Formation of twinning-superlattice regions by artificial stacking of Si layers

    Fissel, A., Bugiel, E., Wang, C. R. & Osten, H. J., 1 Mai 2006, in: Journal of crystal growth. 290, 2, S. 392-397 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  19. Veröffentlicht

    Crystalline ternary rare earth oxide with capacitance equivalent thickness below 1 nm for high-K application

    Laha, A., Bugiel, E., Osten, H. J. & Fissel, A., 25 Apr. 2006, in: Applied physics letters. 88, 17, 172107.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  20. Veröffentlicht

    Cooperative solid-vapor-phase epitaxy: An approach for fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator nanostructures

    Fissel, A., Kühne, D., Bugiel, E. & Osten, H. J., 10 Apr. 2006, in: Applied physics letters. 88, 15, 153105.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  21. Veröffentlicht

    Impact of oxygen supply during growth on the electrical properties of crystalline Gd2O3 thin films on Si(001)

    Czernohorsky, M., Bugiel, E., Osten, H. J., Fissel, A. & Kirfel, O., 10 Apr. 2006, in: Applied physics letters. 88, 15, 152905.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  22. Veröffentlicht

    Interface formation during molecular beam epitaxial growth of neodymium oxide on silicon

    Fissel, A., Elassar, Z., Kirfel, O., Bugiel, E., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., 5 Apr. 2006, in: Journal of applied physics. 99, 7, 074105.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review