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Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik

Organisation: Institut/Seminar

Adressentyp: Besucheradresse.
Schneiderberg 32
30167
Hannover
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Publikationen

  1. 2008
  2. Veröffentlicht

    Observation of near interface oxide traps in single crystalline Nd2 O3 on Si(111) by quasistatic C-V method

    Sun, Q. Q., Laha, A., Ding, S. J., Zhang, D. W., Osten, H. J. & Fissel, A., 27 Aug. 2008, in: Applied physics letters. 93, 8, 083509.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  3. Veröffentlicht

    Embedding silicon nanoclusters into epitaxial rare earth oxide for nonvolatile memory applications

    Laha, A., Kühne, D., Bugiel, E., Fissel, A. & Osten, H. J., Aug. 2008, in: Semiconductor Science and Technology. 23, 8, S. 85015 1 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  4. Veröffentlicht

    Effective passivation of slow interface states at the interface of single crystalline Gd2 O3 and Si(100)

    Sun, Q. Q., Laha, A., Ding, S. J., Zhang, D. W., Osten, H. J. & Fissel, A., 18 Apr. 2008, in: Applied physics letters. 92, 15, 152908.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  5. Veröffentlicht

    Introducing crystalline rare-earth oxides into Si technologies

    Osten, H. J., Laha, A., Czernohorsky, M., Bugiel, E., Dargis, R. & Fissel, A., Apr. 2008, in: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 205, 4, S. 695-707 13 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  6. Veröffentlicht

    Silicon in functional epitaxial oxides: A new group of nanostructures

    Fissel, A., Laha, A., Bugiel, E., Kühne, D., Czernohorsky, M., Dargis, R. & Osten, H. J., März 2008, in: Microelectronics journal. 39, 3-4, S. 512-517 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  7. Veröffentlicht

    Stability of crystalline Gd2O3 thin films on silicon during rapid thermal annealing

    Czernohorsky, M., Tetzlaff, D., Bugiel, E., Dargis, R., Osten, H. J., Gottlob, H. D. B., Schmidt, M., Lemme, M. C. & Kurz, H., März 2008, in: Semiconductor Science and Technology. 23, 3, 035010.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  8. Veröffentlicht

    Electrical Characterization of Ultrathin Single Crystalline Gd20 3/Si(100) with Pt Top Electrode

    Sun, Q. Q., Laha, A., Osten, H. J., Ding, S. J., Zhang, D. W. & Fissel, A., 2008, 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings: ICSICT 2008. S. 1276-1279 4 S. 4734784. (International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICT).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  9. Veröffentlicht

    Epitaxial rare earth oxide thin film: Potential candidate for future microelectronic devices

    Laha, A., Bugiel, E., Osten, H. J. & Fissel, A., 2008, Rare Earth Research and Applications. S. 301-327 27 S.

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandBeitrag in Buch/SammelwerkForschungPeer-Review

  10. Veröffentlicht

    Integration of low dimensional crystalline Si into functional epitaxial oxides for next generation solar cell application

    Laha, A., Fissel, A., Bugiel, E., Badylevich, M., Afanasiev, V. & Osten, H. J., 2008, Proceedings of the 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices: COMMAD'08. S. 166-169 4 S. 4802118. (Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Proceedings, COMMAD).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  11. Veröffentlicht

    Molecular beam epitaxial growth of Si on heavily boron-doped Si(111) surface: From initial stages to the growth of Si polytypes

    Fissel, A., Krügener, J., Bugiel, E., Block, T. & Osten, H. J., 2008, Proceedings of the 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, COMMAD'08. S. 148-151 4 S. 4802113. (Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Proceedings, COMMAD).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  12. 2007
  13. Veröffentlicht

    Charge trapping in ultrathin Gd2O3 high-k dielectric

    Nazarov, A. N., Gomeniuk, Y. V., Gomeniuk, Y. Y., Gottlob, H. D. B., Schmidt, M., Lemme, M. C., Czernohorsky, M. & Osten, H. J., Sept. 2007, in: Microelectronic engineering. 84, 9-10, S. 1968-1971 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  14. Veröffentlicht

    Engineering the interface between epitaxial lanthanide oxide thin films and Si substrates: a route towards tuning the electrical properties

    Laha, A., Fissel, A. & Osten, H. J., Sept. 2007, in: Microelectronic engineering. 84, 9-10, S. 2282-2285 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  15. Veröffentlicht

    Investigation of the electronic structure at interfaces of crystalline and amorphous Gd2O3 thin layers with silicon substrates of different orientations

    Badylevich, M., Shamuilia, S., Afanas'ev, V. V., Stesmans, A., Laha, A., Osten, H. J. & Fissel, A., 18 Juni 2007, in: Applied physics letters. 90, 25, 252101.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  16. Veröffentlicht

    Epitaxial multi-component rare earth oxide for high-K application

    Laha, A., Fissel, A., Bugiel, E. & Osten, H. J., 4 Juni 2007, in: THIN SOLID FILMS. 515, 16 SPEC. ISS., S. 6512-6517 6 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  17. Veröffentlicht

    Integration of functional epitaxial oxides into silicon: From high- K application to nanostructures

    Osten, H. J., Kühne, D., Laha, A., Czernohorsky, M., Bugiel, E. & Fissel, A., 31 Mai 2007, in: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 25, 3, S. 1039-1043 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  18. Veröffentlicht

    Surfactant-mediated epitaxy of germanium on structured silicon substrates: Towards embedded germanium

    Wietler, T. F., Bugiel, E. & Hofmann, K. R., 10 Apr. 2007, Physics of Semiconductors : 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2006, Part A and B. S. 67-68 2 S. (AIP Conference Proceedings; Band 893).

    Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/KonferenzbandAufsatz in KonferenzbandForschungPeer-Review

  19. Veröffentlicht

    Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy

    Osten, H. J., Kuehne, D., Bugiel, E. & Fissel, A., Apr. 2007, in: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 38, 1-2, S. 6-10 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  20. Veröffentlicht

    Influence of interface layer composition on the electrical properties of epitaxial Gd2O3 thin films for high- K application

    Laha, A., Osten, H. J. & Fissel, A., 13 März 2007, in: Applied physics letters. 90, 11, 113508.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  21. Veröffentlicht

    Fabrication of well-defined individual dislocations in SiGe as a novel one-dimensional system

    Bugiel, E., Lewerenz, M. & Osten, H. J., März 2007, in: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 37, 1-2, S. 250-253 4 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review

  22. Veröffentlicht

    Diffraction of strongly convergent X-rays from picosecond acoustic transients

    Shymanovich, U., Nicoul, M., Blums, J., Sokolowski-Tinten, K., Tarasevitch, A., Wietler, T., Horn Von Hoegen, M. & Von Der Linde, D., 8 Feb. 2007, in: Applied Physics A: Materials Science and Processing. 87, 1, S. 7-11 5 S.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschungPeer-Review